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基本信息

項目名稱:
非對稱量子點中強耦合束縛極化子有效質(zhì)量的Rashba效應(yīng)
小類:
數(shù)理
簡介:
本文根據(jù)Huybrechs強耦合極化子模型,考慮Rashba效應(yīng)自旋和軌道相互作用引起的影響下,研究了非對稱量子點中強耦合束縛極化子的性質(zhì)。采用改進的線性組合算符和幺正變換方法,得到了有效質(zhì)量與橫向和縱向受限強度、速率、變分頻率和束縛能量之間的關(guān)系。
詳細介紹:
近十年來,人們在低維納米尺度的體系中發(fā)現(xiàn),自旋在很多性能方面比電荷更優(yōu)越,例如,退相干時間長、能耗低等,這就使得人們試圖利用自旋自由度來設(shè)計新一代的電子器件,一門新興的屬于凝聚態(tài)物理領(lǐng)域的子學(xué)科——自旋電子學(xué)在近幾年出現(xiàn),并迅速蓬勃發(fā)展起來,自旋電子學(xué)是研究自旋操控、自旋輸運、自旋流的特點等與自旋有關(guān)的學(xué)科。其目的是揭示與自旋有關(guān)的各種新現(xiàn)象,和實現(xiàn)自旋電子器件,以及進一步構(gòu)造量子計算機。 自旋流是自旋電子學(xué)中一個最重要的物理量,它是和電流相對應(yīng)的量。直觀地說,一個自旋流相當于自旋向上的電子向一邊運動,而同時自旋向下的電子向反方向運動。從2000年以來,人們對自旋流已展開了很多研究,目前實驗上已能產(chǎn)生自旋流,已實現(xiàn)對自旋流的探測,同時自旋流的一些基本特征和規(guī)律也被揭露和深入研究。 自旋軌道耦合,也稱自旋軌道相互作用,是自旋電子學(xué)中一個很重要的相互作用。在通常情況下,自旋軌道耦合很弱,可以忽略。但在一些半導(dǎo)體體系中卻表現(xiàn)出很強,而且它的耦合強度可以通過柵電壓來調(diào)節(jié)和控制。自旋軌道耦合的一個重要特點是,將電子的自旋和電子的軌道運動耦合起來,所以利用自旋軌道耦合,人們可以簡單方便地用外電場或外電壓來實現(xiàn)對自旋的控制和操縱。近年來,人們對自旋軌道耦合進行了深入的研究,已陸續(xù)發(fā)現(xiàn)一些由自旋軌道耦合所引起的有趣效應(yīng),例如自旋霍爾效應(yīng)、持續(xù)自旋電流等。 自旋電子學(xué)是一個新興的開放的學(xué)科,近幾年來,人們已對這學(xué)科中的自旋流和自旋軌道耦合開展了大量的研究,并揭示了一些有趣的效應(yīng)和基本規(guī)律,例如,自旋軌道耦合引起的自旋霍爾效應(yīng)和持續(xù)自旋流,以及自旋流能產(chǎn)生電場和外電場對自旋流有力的作用等;也解決了一些問題,例如自旋流的產(chǎn)生等。但是這個領(lǐng)域仍然還是一個開放的領(lǐng)域,很多問題有待于我們解決和深入研究,例如自旋流的探測仍然是很困難的,遠遠沒有像測電流那么容易,還需要解決;內(nèi)在自旋霍爾效應(yīng)和持續(xù)自旋流還有待于實驗的證實,所以說自旋電子學(xué)仍然處于青年時代,將來會有更多的發(fā)展。 本文根據(jù)Huybrechs強耦合極化子模型,考慮Rashba效應(yīng)自旋和軌道相互作用引起的影響下,研究了非對稱量子點中強耦合束縛極化子的性質(zhì)。采用改進的線性組合算符和幺正變換方法,得到了有效質(zhì)量與橫向和縱向受限強度、速率、變分頻率和束縛能量之間的關(guān)系。以RbCl晶體為例進行了數(shù)值計算,結(jié)果表明,強耦合束縛極化子總的有效質(zhì)量由三部分組成;軌道和不同方向自旋之間的相互作用對束縛極化子的有效質(zhì)量有不同的影響。本論文對低維系統(tǒng)中的聲子效應(yīng)進行研究,不僅方法簡單,而且較之其他方法更深入和細致地研究了極化子問題,重點解決了低維系統(tǒng)中量子尺寸效應(yīng)。為具有特殊性質(zhì)的新材料、新器件的研制,特別是新的量子器件的設(shè)計和新現(xiàn)象的機理分析提供理論依據(jù)和最佳的研制方案。

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  • 非對稱量子點中強耦合束縛極化子有效質(zhì)量的Rashba效應(yīng)

作品專業(yè)信息

撰寫目的和基本思路

近十年來,人們在低維納米尺度的體系中發(fā)現(xiàn),自旋在很多性能方面比電荷更優(yōu)越,例如,退相干時間長、能耗低等,這就使得人們試圖利用自旋自由度來設(shè)計新一代的電子器件,一門新興的屬于凝聚態(tài)物理領(lǐng)域的子學(xué)科——自旋電子學(xué)在近幾年出現(xiàn),并迅速蓬勃發(fā)展起來,自旋電子學(xué)是研究自旋操控、自旋輸運、自旋流的特點等與自旋有關(guān)的學(xué)科。其目的是揭示與自旋有關(guān)的各種新現(xiàn)象,和實現(xiàn)自旋電子器件,以及進一步構(gòu)造量子計算機。

科學(xué)性、先進性及獨特之處

本項目所采用元激發(fā)方法對低維系統(tǒng)中的極化子Rashba效應(yīng)進行研究,不僅方法簡單,而且較之其他方法更深入和細致地研究了極化子問題,重點解決了低維系統(tǒng)中量子尺寸效應(yīng)。同時采用量子波導(dǎo)理論和傳遞矩陣方法研究電子輸運性質(zhì)。作品在量子點、量子線和量子阱以及極性膜中的聲子效應(yīng)等方面的研究將為具有特殊性質(zhì)的新材料、新器件的研制,特別是新的量子器件的設(shè)計和新現(xiàn)象的機理分析提供理論依據(jù)和最佳的研制方案。

應(yīng)用價值和現(xiàn)實意義

隨著近年來量子信息與量子計算科學(xué)的發(fā)展,半導(dǎo)體量子點方案由于其可集成的優(yōu)點被認為是未來實現(xiàn)量子計算機最可行的方案之一,因此半導(dǎo)體量子點的研究顯得更加迫切,而有很多研究工作是關(guān)于Rashba SO相互作用對電子系統(tǒng)的影響,但是,Rashba SO相互作用對束縛極化子的影響的研究到目前為止是尚不多見的。因此我們的作品非對稱量子點中強耦合極化子有效質(zhì)量的Rashba效應(yīng)更體現(xiàn)出重要性和實際價值。

學(xué)術(shù)論文摘要

近十年來,人們在低維納米尺度的體系中發(fā)現(xiàn),自旋在很多性能方面比電荷更優(yōu)越,例如,退相干時間長、能耗低等,這就使得人們試圖利用自旋自由度來設(shè)計新一代的電子器件,一門新興的屬于凝聚態(tài)物理領(lǐng)域的子學(xué)科—自旋電子學(xué)在近幾年出現(xiàn),并迅速蓬勃發(fā)展起來,自旋電子學(xué)是研究自旋操控、自旋輸運、自旋流的特點等與自旋有關(guān)的學(xué)科。其目的是揭示與自旋有關(guān)的各種新現(xiàn)象,和實現(xiàn)自旋電子器件,以及進一步構(gòu)造量子計算機。近幾年來人們已對這學(xué)科開展了大量的研究,但是這個領(lǐng)域仍然還是一個開放的領(lǐng)域,很多問題有待于我們解決和深入研究,內(nèi)在自旋霍爾效應(yīng)和持續(xù)自旋流還有待于實驗的證實,所以說自旋電子學(xué)仍然處于青年時代,將來會有更多的發(fā)展。本文根據(jù)Huybrechs強耦合極化子模型,考慮Rashba效應(yīng)自旋和軌道相互作用引起的影響下,研究了非對稱量子點中強耦合束縛極化子的性質(zhì)。本論文對低維系統(tǒng)中的聲子效應(yīng)進行研究,不僅方法簡單,而且較之其他方法更深入和細致地研究了極化子問題,重點解決了低維系統(tǒng)中量子尺寸效應(yīng)。為具有特殊性質(zhì)的新材料、新器件的研制,特別是新的量子器件的設(shè)計和新現(xiàn)象的機理分析提供理論依據(jù)和最佳的研制方案。

獲獎情況

鑒定結(jié)果

參考文獻

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同類課題研究水平概述

Chen 等[ 1] 應(yīng)用二級微擾理論研究了厚度對拋物量子點中雜質(zhì)束縛磁極化子能級的影響。 Charrour 等[ 2] 在有效質(zhì)量近似下, 采用變分方法研究了磁場對拄型量子點中氫雜質(zhì)結(jié)合能的影響。 Nguyen 等[ 3] 采用僅有一個變分參量的嘗試波函數(shù)方法詳細地研究了拋物限制勢和磁場對量子點中氫雜質(zhì)的基態(tài)能量和結(jié)合能的影響。 Corella等[ 4] 利用變分法計算了磁場存在時氫化雜質(zhì)中球型量子點的基態(tài)能和結(jié)合能。 Wang[ 5]和Chen 等[ 6] 采用線性組合算符方法分別研究了半導(dǎo)體量子點中強耦合磁極化子的性質(zhì)和拋物量子點中弱耦合束縛磁極化子的性質(zhì)。 Li 等[ 7] 研究了自旋對晶體內(nèi)弱耦合磁極化子性質(zhì)的影響有很多研究工作是關(guān)于Rashba SO相互作用對電子系統(tǒng)的影響,但是,Rashba SO相互作用對束縛極化子的影響的研究到目前為止是尚不多見的。 [ 1] Chen C Y, Jin P W, Li W S, et al. T hickness effecton impur ity-bound polar onic ener gy lever s in a parabolic quantum dot in magnetic fields [ J ] . Phys Rev B, 1997, 56( 23) : 14913-14916. [ 2] Charr our R, Bouhassoune M, Fliyou M, et a l. Magnetic field effect on the binding ener gy of a hydrogenic impurity in cylindr ical quantum dot [ J] . Physica B,2000, 293: 137-143. [ 3]Nguyen V L, Nguyen M T, Nguyen T D. Magnetic effects of the binding ener gy of hydrogen impurities in quantum dots with par abolic confinements[ J] . Physica B, 2000, 242: 153- 159
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