国产性70yerg老太,色综合在,国产精品亚洲一区二区无码,无码人妻束缚av又粗又大

基本信息

項(xiàng)目名稱(chēng)：
多晶硅薄膜的制備方法的研究
小類(lèi)：
能源化工
簡(jiǎn)介：
目前晶體硅薄膜電池的晶粒大小從納晶直到毫米級(jí)，光伏界將它們統(tǒng)稱(chēng)為多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。多晶硅薄膜電池的研究日益受到人們的重視，未來(lái)將成為太陽(yáng)能電池的主要競(jìng)爭(zhēng)者。在研究怎樣把硅片切薄的同時(shí)，人們加大了對(duì)多晶硅薄膜電池的研究。
詳細(xì)介紹：
本文介紹了太陽(yáng)能多晶硅薄膜的主要制備方法。制備多晶硅薄膜的方法有很多種。主要有化學(xué)氣相沉積法、固相晶化非晶硅薄膜法(SPC)、金屬誘導(dǎo)晶化非晶硅薄膜(MIC)。其中化學(xué)氣相沉積法(CVD)是制備多晶硅薄膜最廣泛使用的方法。它們具有各自不同的制備原理、晶化機(jī)理、及其優(yōu)缺點(diǎn)。

作品專(zhuān)業(yè)信息

撰寫(xiě)目的和基本思路

主要有化學(xué)氣相沉積法、固相晶化非晶硅薄膜法(SPC)、金屬誘導(dǎo)晶化非晶硅薄膜(MIC)。其中化學(xué)氣相沉積法(CVD)是制備多晶硅薄膜最廣泛使用的方法。它們具有各自不同的制備原理、晶化機(jī)理、及其優(yōu)缺點(diǎn)。

科學(xué)性、先進(jìn)性及獨(dú)特之處

多晶硅薄膜太陽(yáng)電池兼有晶體硅太陽(yáng)電池技術(shù)和薄膜太陽(yáng)電池技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)：性能穩(wěn)定，不存在效率衰退的問(wèn)題；可在不同材料、形狀、大小的襯底上沉積，可大幅度節(jié)省硅材料的用量，具有高轉(zhuǎn)化效率潛力；可大面積制備，便于大規(guī)模連續(xù)化生產(chǎn)，具有更高的產(chǎn)率；具有大幅度降低太陽(yáng)電池制造成本的潛力；此外，薄膜的制備過(guò)程基本不對(duì)生態(tài)環(huán)境造成危害，較為“綠色”。

應(yīng)用價(jià)值和現(xiàn)實(shí)意義

在研究多晶硅薄膜的制備方法的同時(shí)，能夠更好的制造高質(zhì)量、高性能的多晶硅。在不久的將來(lái)，作為“太陽(yáng)能的心臟”的多晶硅將全面上市，受到人們的廣泛關(guān)注，也將使大幅度節(jié)省制造成本和保護(hù)生態(tài)環(huán)境上一個(gè)更高的層次。

學(xué)術(shù)論文摘要

目前晶體硅薄膜電池的晶粒大小從納晶直到毫米級(jí)，光伏界將它們統(tǒng)稱(chēng)為多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池。多晶硅薄膜電池的研究日益受到人們的重視，未來(lái)將成為太陽(yáng)能電池的主要競(jìng)爭(zhēng)者。在研究怎樣把硅片切薄的同時(shí)，人們加大了對(duì)多晶硅薄膜電池的研究。 本文介紹了太陽(yáng)能多晶硅薄膜的主要制備方法。制備多晶硅薄膜的方法有很多種。主要有化學(xué)氣相沉積法、固相晶化非晶硅薄膜法(SPC)、金屬誘導(dǎo)晶化非晶硅薄膜(MIC)。其中化學(xué)氣相沉積法(CVD)是制備多晶硅薄膜最廣泛使用的方法。它們具有各自不同的制備原理、晶化機(jī)理、及其優(yōu)缺點(diǎn)。 多晶硅薄膜太陽(yáng)電池兼有晶體硅太陽(yáng)電池技術(shù)和薄膜太陽(yáng)電池技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)：性能穩(wěn)定，不存在效率衰退的問(wèn)題；可在不同材料、形狀、大小的襯底上沉積，可大幅度節(jié)省硅材料的用量，具有高轉(zhuǎn)化效率潛力；可大面積制備，便于大規(guī)模連續(xù)化生產(chǎn)，具有更高的產(chǎn)率；具有大幅度降低太陽(yáng)電池制造成本的潛力；此外，薄膜的制備過(guò)程基本不對(duì)生態(tài)環(huán)境造成危害，較為“綠色”。

獲獎(jiǎng)情況

無(wú)

鑒定結(jié)果

無(wú)

參考文獻(xiàn)

[1]王陽(yáng)元,等1 多晶硅薄膜及其在集成電路中的應(yīng)用(第二版) [M] . 北京:科學(xué)出版社,2001 ,2～4. [2]吳萍,等. a2Si :H 薄膜固相晶化法制備大晶粒多晶硅薄膜[J ] . 汕頭大學(xué)學(xué)報(bào),1999 ,14(1) :19. [3] 曾祥斌。多晶硅薄膜的新型激光晶化制備方法[J]電子元件與材料，2000，01：7～8 [4] 邱法斌等。準(zhǔn)分子激光燒結(jié)玻璃襯底上多晶硅薄膜材料的制備[J]。液晶與顯示，2001，03：170～174 [5] 劉豐珍。等離子體-熱絲CVD技術(shù)制備多晶硅薄膜[J]。半導(dǎo)體學(xué)報(bào)，2003，05：499～503 [6] 邱春文等。PECVD法低溫沉積多晶硅薄膜的研究[J]。液晶與顯示，2003，03：201～204 [7] Giust G.K, Sigmon T.W. Laser-processed thin-film transistors fabricated from sputtered amorphous silicon films. IEEE Trans Electron Devices, 2000, 47(1):207 [8] WangWen,MengZhi guo, Low Temperature Metal Induced Laterally Crystallized Polycrystallline S-ilicon Material and DeviceTechnology,2003,5:87

同類(lèi)課題研究水平概述

無(wú)
建議反饋 返回頂部