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作品簡介: 該作品涉及的主要原料之一的微硅粉是固體廢棄物,利用其特殊的理化性能,在其顆粒表面包覆導(dǎo)電高分子聚吡咯,合成了具有良好導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)搭接結(jié)構(gòu)聚吡咯/微硅粉導(dǎo)電復(fù)合材料,這為固體廢棄物資源化及導(dǎo)電復(fù)合材料研究領(lǐng)域中提供了有意義的研究實(shí)例,此研究思路尚未見報(bào)道,具有一定的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值和現(xiàn)實(shí)意義。
作品簡介: 針對(duì)光存儲(chǔ)技術(shù)在材料方面的關(guān)鍵問題,以堿土錫酸鹽為研究對(duì)象,通過實(shí)驗(yàn)篩選,得到了兩種具有優(yōu)秀光存儲(chǔ)特性和實(shí)際應(yīng)用潛力的新型光存儲(chǔ)材料:Mg2SnO4和Sr2SnO4:Tb3+,Li+。Mg2SnO4具有較強(qiáng)的長余輝和光存儲(chǔ)現(xiàn)象。而Sr2SnO4:Tb3+,Li+由于余輝很弱,具有更好的光存儲(chǔ)性能,并利用該材料制作了光存儲(chǔ)概念模型。結(jié)果表明:光存儲(chǔ)技術(shù)應(yīng)用關(guān)鍵在于材料的永久存儲(chǔ)的和激光器的超細(xì)精度。
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