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作品簡(jiǎn)介： 針對(duì)光存儲(chǔ)技術(shù)在材料方面的關(guān)鍵問題，以堿土錫酸鹽為研究對(duì)象，通過實(shí)驗(yàn)篩選，得到了兩種具有優(yōu)秀光存儲(chǔ)特性和實(shí)際應(yīng)用潛力的新型光存儲(chǔ)材料：Mg2SnO4和Sr2SnO4:Tb3+,Li+。Mg2SnO4具有較強(qiáng)的長(zhǎng)余輝和光存儲(chǔ)現(xiàn)象。而Sr2SnO4:Tb3+,Li+由于余輝很弱，具有更好的光存儲(chǔ)性能，并利用該材料制作了光存儲(chǔ)概念模型。結(jié)果表明：光存儲(chǔ)技術(shù)應(yīng)用關(guān)鍵在于材料的永久存儲(chǔ)的和激光器的超細(xì)精度。
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