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作品簡介： 針對光存儲技術(shù)在材料方面的關(guān)鍵問題，以堿土錫酸鹽為研究對象，通過實驗篩選，得到了兩種具有優(yōu)秀光存儲特性和實際應(yīng)用潛力的新型光存儲材料：Mg2SnO4和Sr2SnO4:Tb3+,Li+。Mg2SnO4具有較強的長余輝和光存儲現(xiàn)象。而Sr2SnO4:Tb3+,Li+由于余輝很弱，具有更好的光存儲性能，并利用該材料制作了光存儲概念模型。結(jié)果表明：光存儲技術(shù)應(yīng)用關(guān)鍵在于材料的永久存儲的和激光器的超細精度。
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